时  间：   2016年10月26日（星期三）下午15:10
地  点：   中心教学楼610
报告一：硕士生报告    时间：15:10-15:40
题  目：多层SnS二维半导体材料在电场下的性质研究
报告人：        潘龙飞        指导老师： 石丽洁
摘要：
外加电场可以有效改变黒磷的带隙，并且在电场诱导下，可以使黒磷产生半导体向半金属的转变。而SnS、SnSe、GeS、GeSe这些Ⅳ-Ⅵ族半导体在二维形态下有与黒磷类似的结构，只是他们的空间群为Pcmn—— 比只含有一种元素的黒磷的空间群Bmab—— 对称性要低一些。那么这些材料也就极有可能与黒磷类似，在外电场作用下带隙具有可调性。我们的第一性原理计算结果显示，二维SnS对电场的响应优于MoS2等过渡族金属硫化物，并且拥有与黒磷类似的各向异性的载流子迁移率。
之前的研究已经找到了很多种修饰二维材料带隙的方法，但是，相比化学处理，拉伸或者加压，外加电场的方法更容易在集成电路中实现，并且可以不对材料造成破坏，所以，研究通过外加电场的方法来修饰二维材料的带隙必定是接下来的研究趋势。

时间：   2016年10月26日（星期三）下午15:00
地点：中心教学楼610
报告二：硕士生报告    时间：15:40-16:10
题  目：用基于弱测量的前反馈控制方案保护多粒子态的非局域性
报告人：李小刚指导老师：邹健
摘要：
量子态的非局域性在量子通信中是非常关键的资源，但是通常环境的影响是不可避免的，考虑环境的影响后，原本的纯态会演化成混态而失去部分非局域性。本文主要研究如何利用基于弱测量的前反馈控制方案来保护量子态通过Amplitude Dephasing（AD）耗散信道后的非局域性。该方案的主要思想是：根据过AD信道前对系统进行弱测量的不同结果，使用前反馈控制使得量子态变为几乎对通道免疫的态，然后在过AD信道后选择合适的的测量反馈逆操作恢复出被保护量子态。我们使用CHSH-Bell不等式来刻画量子态的非局域性。在研究多粒子态的时候，我们选取合适的投影将多粒子态（GHZ态过耗散信道经过保护后的态）投影成两粒子态，此时此二粒子态的非局域性可以用来反映原本的三粒子态的非局域性，然后用研究两粒子态的办法研究该投影后的三粒子态的非局域性。发现该方案对Bell态以及GHZ态的非局域性都有非常明显的保护效果，尤其是当退相干强度比较大的情况保护效果格外显著。此外，我们还研究了在不同的退相干强度下如何保护量子态的纠缠度，发现保护纠缠和保护非局域性并不是非常简单的对应关系，纠缠和非局域性的关系并非固定的以及显性的，只有有些情况他们之间才具有偶然的非常简单的对应关系。

时间：   2016年10月26日（星期三）下午15:00
地点：中心教学楼610
报告三：硕士生报告    时间：16:10-16:40
题  目：Piezophototronic Effect in Single-Atomic-Layer MoS2 for Strain-Gated Flexible Optoelectronics
报告人：刘晓                指导老师：吴汉春、史庆藩
摘要：

Dynamic manipulation of electronic and optical processes in optoelectronics is usually achieved by applying an electrostatic bias. However, emerging applications in wearable devices and human-machine interfacing desire that functional optoelectronics can be directly regulated by mechanical stimuli/inputs from human body. Here, wereport strain-gated flexible optoelectronics based on monolayer piezoelectric-semiconductor MoS2.Utilizing the piezoelectric polarization charges created at the metal-MoS2 interface to modulate the separation/transport of photogenerated carriers, the piezophototronic effect is applied to implement two-terminal atomic-layer-thick phototransistor, in which the photodetection is systematically tuned by substrate-induced strain. A maximum photoresponsivity of 2.3×104AW-1with a 26-fold improvement over the reported highest photoresponsivity for monolayer MoS2 phototransistors is demonstrated when a -0.38% compressive static strain is introduced at low illumination intensity of 3.4 μW cm-2 (wavelength = 442 nm). The coupling among piezoelectricity, optical excitation, and semiconducting properties in 2D atomically thin materials may enable the development of flexible nanooptoelectromechanical systems, adaptive biooptoelectronic probes, and ultrathin optoelectronics.

时间：   2016年10月26日（星期三）下午15:00
地点：中心教学楼610
报告四：硕士生报告    时间：16:40-17:10
题  目：线-线电极微通道放电的特性
报告人：任超              指导老师：缪劲松
摘要：研究微通道间隙对放电的影响，本文利用介质板微小间隙之间的线-线电极结构，测试了它在直流电压激励下空气中放电的特性，得到了微放电的击穿电压、伏安特性曲线与电极线径（或介质板间距）、空气气压的关系，并与单层介质表面线-线放电和空间线-线电晕放电进行了比较。结果表明：微小间隙介质层之间的放电击穿电压明显高于单层介质层表面和空间电晕的击穿电压；但伏安特性与空间电晕放电相似。在相同电极条件下，击穿电压随着工作气压的升高而增大。最后讨论了微间隙影响放电的机制。