时 间：2011年11月30日（星期三）16:00
地 点：中心教学楼609

报告一：博士生
报告时间：16:00-16:30
题 目：C60纳米管在高压下的结构变化
报告人：胡靖宇

摘要：富勒烯一维纳米材料的结构与物性一直以来都是研究的热点领域。近来，通过液面间沉析法（LLIP）可以合成出高纯的C60纳米管。我们使用金刚石对顶压砧装置（DAC）加压，对合成出的C60纳米管进行了原位高压同步辐射和拉曼实验，研究了其在压力下的结构变化。

报告二：硕士生报告时间：16:30-17:00
题 目： 基Mn掺杂ZnSe一维纳米结构的制备及物性研究
报告人： 李亚美

摘要： Mn掺杂ZnSe纳米结构有优越的光电性能而受到广泛关注，并激发了人们对其研究的热情。本实验采用CVD(chemical vapor deposition)方法，以ZnSe和MnCl2•4H2O为源材料，以VLS为生长机制成功地制备了纯ZnSe纳米线以及Mn：ZnSe竹节状一维纳米结构，这些一维纳米结构的光学性质依赖尺寸，形状和掺杂程度。论文综合采用了多种分析手段对ZnSe以及Mn：ZnSe一维纳米结构进行了详细的形貌表征和物性分析。图1给出了ZnSe纳米线和竹节状结构的形貌图。单根纳米线PL谱在583nm处有明显的Mn d-d跃迁特征峰，表明ZnSe纳米线中成功掺入了Mn元素。通过对一维竹节状纳米线节点以及节点间连接的Raman表征，发现两处具有不同成分。进一步通过EDS表征，确定连接处为Zn¬xSe1-x(x≈0.55)，节点处为Zn¬xSe1-x(x≈0.09~0.21)。图2为单根纳米线荧光共聚焦PL谱。由于在端点处光学受限减弱，光谱发生明显红移（红移12 nm）。双峰为回音壁模式，分别对应6倍波长和7倍波长。良好的荧光发射峰表明该结构在微纳光学器件方面具有潜在应用。另外，Mn离子的掺入为该纳米线引入了光电磁调控，增加了其应用范围和可控性。